,三星申请半导体器件专利，提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
2024-08-03 【 字体：大 中 小 】
,三星申请半导体器件专利，提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统“，公开号CN117641916A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，示例实施方式提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件可以包括第一结构、在第一结构上的第二结构以及穿过第一结构和第二结构的栅极接触插塞。第一结构可以包括：包括交替堆叠的第一栅极层和第一绝缘层的第一堆叠结构、穿过第一堆叠结构的至少第一部分的第一焊盘覆盖图案、以及穿过第一堆叠结构的至少第二部分并与第一焊盘覆盖图案间隔开的第一缓冲覆盖图案。第二结构可以包括：包括交替堆叠的第二栅极层和第二绝缘层的第二堆叠结构、以及穿过第二堆叠结构的至少一部分的第二焊盘覆盖图案。第一栅极层可以包括由第一焊盘覆盖图案覆盖的第一栅极焊盘。
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